传三星预备接纳两台High-NA EUV光刻机方案2026H1投入使用

　　三星于本年3月在其华城园区引进了首台ASML制作的High-NA EUV光刻机，类型为“TWINSCAN EXE:5000”，大多数都用在研制技能。三星也成为了英特尔（2023年底）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家装置High-NA EUV光刻机的半导体制作商。

　　据TrendForce报导，三星将于本年晚些时候接纳首台类型为“TWINSCAN EXE:5200B”的High-NA EUV光刻机，下一年上半年还会接纳第二台同类型机器。TWINSCAN EXE:5200B归于首个High-NA EUV量产类型，标志着三星现已在为新一代光刻技能应用于大规模出产做预备。

　　三星并非首个装置TWINSCAN EXE:5200B的半导体制作商，上个月SK海力士就已官宣引进同类型设备，装置在韩国利川M16工厂，用于下一代DRAM的出产。有音讯的人悄悄表明，三星方案将High-NA EUV光刻机用于2nm工艺的出产线和特斯拉下一代AI芯片，别的还支撑未来选用笔直通道晶体管（VCT）的DRAM。

　　风闻三星购买这两台High-NA EUV光刻机大约花费了7.73亿美元（约合人民币55.09亿元）